三菱igbt模块CM200HA-24E 

IGBT的发展： 电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展，与其他电力电子器件相比，IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，为了达到这些高性能，采用了许多用于集成电路的工艺技术，如外延技术、离子注入、精细光刻等。要提高功率MOSFET的耐压能力，势必增加高导通电阻，从而妨碍器件在高电压、大电流范围的应用。针对这些缺陷，20世纪80年代诞生了功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件，20世纪90年代初进入实用化。近几年来，功率IGBT的性能提高很快，额定电流已达数百安培，耐压达1500V以上，而且还在不断提高。由于IGBT器件具有PIN二极管的正向特性，P沟功率IGBT的特性不比N沟IGBT差多少，这非常有利于在应用中采取互补结构，从而扩大其在交流和数字控制技术领域中的应用。

PM300CLA120,PM300DSA120,PM300DSA120,PM300RLA060,PM400DSA060,PM400HSA120,PM450CLA060,
PM450CLA120,PM600CLA060,PM600DSA060,PM600HSA120,PM800HSA060,PM800HSA120,PM600HHA060,
PM400HAS120,PM300HHA120,PM600HSA120,PM800HSA120,PM800HSA060,PM400DSA060,PM200DSA060,
PM300DSA060,PM600DSA060,PM400DVA060,PM600DVA060,PM300DSA120,PM300DVA120,PM200DV120,
PM200DSA120,PMDSA120,PM100DSA120,PM75DSA120,PM15CTM060,PM20CTM060,PM50CTK060,PM75CTK060,
PM30CTJ060,PMCSJ060,PM15CSJ060,PM20CSJ060,PM30CSJ060,PM300CSD060,PM100CSA060,PM150CSA060,
PM200CSA060,PM300CSA060,PM100CVA060,PM150CVA060,PM200CVA060,PM300CVA060,PM15CHA060,
PM20CHA060,PM15CMA060,PMCMA060,PM20CEA060,PMCEE060,PM75CSA120,PM100CSA120,PM75CVA120,
PM100CVA120,PM150CVA120,PM10CZF120,PM15CAF120,PM50RSA060,PM75RSA060,PM100RSA060,PM150RSA060,
PM75RVA060,PM50RSK060,PM75RSK60,PM30RMC060,PM30RSF060,PM75RRA060,PM25RSB120,PM25RSK120,
PM10RHB,120,PM15RHB120,PM50RHA120,PM50RSA120,PM10RSH120,PM15RSH120,PM50RSD120,PM75RSD120,
PM100RSD120,PM150RSD120,PM50RSE120,PM75RSE120PM100RSE120,PM150RSE120,PM50RVA120,CM20LD-12H,
CM10MD-12H,CM15MD-12H,CM20MD-12H,CM30MD-12H,CM50MD-12H,CM10MD-24H,CM15MD-24H,CM25-24H,
CM10MDL-12H,CM15MDL-12H,CM20MDL-12H,CM10MDL-24H,CM15MDI-24H,CM25MDI-24H,CM100DY-12H,
CM1200HC-50H,CM50DY12H,PM10CSJ060,PM15RHB120,PM20CSJ060,PM300DSA120,PM600HSA120,PM75RVA060